سامسونگ نقشه راه خود برای تولید تراشه‌های موبایلی را تشریح کرد

چوی سی یونگ؛ رئیس و سرپرست کسب‌وکار نیمه‌هادی سامسونگ در جریان برگزاری همایش سالیانه Samsung Foundry Forum پیرامون آینده تولید تراشه توسط سامسونگ و تبعات مشکل کمبود جهانی تراشه برای وضعیت آینده کسب‌و‌کار نیمه‌هادی شرکت سخنرانی کرد. همچنین وی در خصوص نقشه راه سامسونگ برای ساخت تراشه‌های ۳ نانومتری و ۲ نانومتری صحبت کرد.

علیرغم مشکل کمبود نیمه‌هادی در جهان، کمپانی سامسونگ کماکان قصد دارد تا در میدان رقابت باقی بماند. آقای سی یونگ تاکید کرد که سامسونگ در زمینه به‌کارگیری پیشرفته‌ترین فناوری‌ها پیشتاز خواهد بود؛ در حالی‌که مقیاس تولید نیمه‌هادی‌ها را یک گام دیکر ارتقاء خواهد داد. سامسونگ پیش‌بینی می‌کند که حتی با وجود کمبود تراشه تعداد کمی از شرکت‌ها از تجهیزات کافی برای رقابت در مقیاس فرآیندی جدید برخوردار باشند.

در وهله نخست شرکت سامسونگ قصد دارد تا تولید انبوه تراشه‌ها با استفاده از فرآیند ۲ نانومتری را در سال ۲۰۲۵ آغاز نماید. اسمارت‌فون‌های نسل فعلی سامسونگ و اپل از تراشه‌های ساخت شرکت‌های سامسونگ، کوالکام و TSMC استفاده می‌کنند. این تراشه‌ها با استفاده از فرآیند ۵ نانومتری تولید می‌شوند. کمپانی کره‌ای تولیدکننده تراشه پیش‌بینی می‌کند که فرآیند ساخت نخستین تراشه‌های ۳ نانومتری برای مشتریان در نیمه نخست سال ۲۰۲۲ آغاز شود.

این تراشه‌های جدید به لطف استفاده از فرآیند ۳ نانومتری (Gate-All-Around (GAA احتمالا از ۳۰ درصد کارآیی بیش‌تر و ۵۰ درصد مصرف انرژی کمتر نسبت به نمونه‌های فعلی برخوردار خواهند بود. تمامی این پیشرفت‌ها در حالی تحقق پیدا می‌کنند که فضای اشغال شده توسط تراشه در مقایسه با انواع ۵ نانومتری تا ۳۵ درصد کاهش خواهد یافت.

تراشه‌های ۳ نانومتری در کارخانه سامسونگ واقع در شهر پیونگ تاک کره تولید می‌شود. در حال حاضر پروژه توسعه این کارخانه برای پشتیبانی از رشد ظرفیت تولید در حال اجرا است. همچنین بر اساس برنامه‌ریزی‌ها یک کارخانه تولید تراشه نیز در ایالات‌متحده احداث خواهد شد؛ اگرچه جزئیات مربوط به محل استقرار این کارخانه کماکان در هاله‌ای از ابهام قرار دارد. در عین‌حال انتظار می‌رود که تولید دومین نسل از تراشه‌های ۳ نانومتری در سال ۲۰۲۳ آغاز شود.

کمپانی کره‌ای حتی اعلام کرد که تراشه‌های ۲ نانومتری مراحل اولیه توسعه خود را پشت سر می‌گذارند. این تراشه‌ها از فناوری‌های در حال توسعه GAA و FET چند کاناله استفاده خواهند کرد.

منبع:ITiran

آموزش دوره +Network

مطالب مرتبط